Il possède 3 électrodes : Base, Collecteur, Émetteur.
Les deux types de transistors bipolaires
Détermination des 3 électrodes et du type
En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le suivant:
Il est possible de déterminer le type et la base à l'aide d'un ohm-mètre sur la position diode, sachant que la paire C - E est bloquée dans les deux sens.
On détermine ensuite la tension inverse de claquage à partir du montage suivant:
pour le type NPN La tension la plus faible correspond |
L'effet transistor
Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension VE à travers une résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC circule alors du collecteur vers l'émetteur: IC = hFE * IB , hFE étant l'amplification de courant ou gain statique.
Caractéristiques
Caractéristique Base - Émetteur: |
Caractéristique Collecteur - Émetteur: c'est un réseau de caractéristiques Chaque courbe est obtenue pour une valeur de IB |
Quelques considérations sur le transistor de puissance bipolaire...
Valeurs limites |
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VCE0 |
150v |
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VEB |
6v |
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IC |
50A |
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IB |
20A |
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PD |
250W |
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TJ |
200°C |
La puissance que peut dissiper le transistor dépend de la température de son boîtier. La dissipation maximale est de 250 W si le boîtier est maintenu à une température inférieure à 25°C. |
Pour TJ et VCE donnés hFE = 10 pour IC = 50A hFE = 30 pour IC = 30A hFE = 60 pour IC = 20A |
Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A, le courant de base est 0,6A. Cela correspond à un gain statique de 30/0,6 = 50 |
VCEsat augmente avec IC 0,4V pour 10A 1,2V pour 30A |